直流開關電源 EMI 探討
●EMI 產生的根源：
★第一、直流開關電源的最大缺點是因切換動作（TURN-ON或TURN OFF）產生雜訊電壓為其雜訊源。因切換動作的波形為方波，而方波含有很多高次諧波。（ dv/dt）
★第二、由于開關電晶體的非線性及二極體的反向恢復特性，電流作快速的非線性變化引起雜訊。 （di/dt）
●EMI的傳播方式和途徑：
★EMI干擾信號按其特性可分為共模信號（COMMON MODE）和差模信號（DIFFERENTIAL MODE）。
★共模信號：干擾信號電流的在兩條回路的導線上的電流方向相對大地是相同的信號，稱為共模信號，見下左圖；
★差模信號：干擾信號電流的在兩條回路的導線上的電流方向相對大地是相反的信號，稱為差模信號，見下右圖。
●常用低通濾波結構的劃分
●直流開關電源輸入濾波器的設計：
★共模差模分開設計（以π型為例）
★濾波器共模部分設計
★濾波器差模部分設計
●濾波器的安裝：
●共模電感的繞制
共模扼流圈中的負載電流產生的磁場相互抵銷，因此磁芯不會飽和。
●磁珠阻抗
注意：共模電感和磁珠 需要測量溫升!!
拓撲EMI 分析舉例
Flyback 架構EMI 分析
●Flyback架構的高頻等效模型
●Noise 源：
大的di/dt和dv/dt 產生的地方，對Flyback架構來說，會產生這些變化的主要有：
★變壓器TX1；
★MOSFET Q1 ；
★輸出二極管D1；
★芯片的RC振蕩；
★驅動信號線；
Q1 上 Vds 的波形
MOSFET 動作時產生的Noise ：如 上圖所示，主要來自三個方面：
①Mosfet開通、關斷時，具有很寬的頻譜含量，開關頻率的諧波本身就是較強的干擾源。
②關斷時的振蕩 1產生較強的干擾。
③關斷時的振蕩 2產生較強的干擾。
開關管 Q1關斷，副邊二極管D1導通時（帶載），原邊的勵磁電感被鉗制，原邊漏感Lep的能量通過Q1的寄生電容Cds進行放電，主放電回路為Lep—Cds—Rs—C1—Lep，此時產生振蕩振蕩的頻率為：
在Lep上的振蕩電壓Vlep迭加在2Vc1上，致使Vds=2Vc1+Vlep 。振蕩的強弱，將決定我們選取的管子的耐壓值、電路的穩定性。
量測Lep=6.1uH, Q1為2611查規格書可得Coss=190pF（Coss近似等于Cds）,而此充電板為兩個管子并聯，所以Cds=380pF 。由上式可求得f =3.3 MHz，和下圖中的振蕩頻率吻合。
從圖中可看出 此振蕩是一衰減的振蕩波，其初始的振蕩峰值決定于振蕩電路的Q值：Q值越大，峰值就越大。Q值小，則峰值小。為了減小峰值，可減小變壓器的漏感Lep,加大Cds和電路的阻抗R。而加入Snubber電路是 極有效之方法。
振蕩2發生在Mosfet Q1關斷，副邊二極管由通轉向關斷，原邊勵磁電感被釋放(這時Cds被充至2Vc1)，Cds和原邊線圈的雜散電容Clp為并聯狀態，再和原邊電感Lp（勵磁電感和漏感之和）發生振蕩。放電回路同振蕩1。振蕩頻率為：
在Lp上的振蕩電壓Vlp迭加在Vc1上，致使Vds=Vc1+Vlp 。量測Lp=0.4mH；Q1為2611，查規格書可得Coss=190pF（Coss近似等于Cds）,而此充電板為兩個管子并聯，所以Cds=380pF；Clp在200KHz時測得為Clp=1.6nF。由上式可求得：f =178.6KHz，和下圖中190.5K吻合。
●我們可實行的改善措施有兩個：
★1、減小Noise的大小；
★2、切斷或改善傳播途徑。
1.減小Noise 的大小：
首先考慮以下三個方面：
①Mosfet、Diode動作時，具有很寬的頻譜含量，開關頻率的諧波本身就是較強的干擾源。
措施：在滿足所要求的效率、溫升條件下，我們可盡量選開關較平緩的管子。而通過調節驅動電阻也可達到這一目的。
②Q1、D1 的振蕩 1會產生較強的干擾。
措施：
*對寄生電容Cds、Cj 的處理：在Q1的ds極、二極管的兩端各并上一681小電容，來降低電路的Q 值，從而降低振蕩的振幅A，同時能降低振蕩頻率f。需注意的是：此電容的能量1/2Cu2將全部消耗在Q1上，所以管子溫升是個問題。解決的辦法是使用RC snubber, 讓能量 消耗在 R上。同時R能起到減小振幅的作用。
*對變壓器的漏感Le的處理：
1、變壓器采用 三明治 繞法，以減小漏感。
2、在變壓器的繞組上加吸收電路。
3、減小Q1 D極到變壓器的引線長度。（此引線電感和漏感相迭加）采取上述 措施降低振蕩 1的影響之后得下圖。
③： Q1 D1 上的振蕩 2 會產生較強干擾。
分析方法和②相同，但此時 電感已變得很大了（主要為為勵磁電感），因此漏感和引線電感對③的影響相對較小。
同樣從上面的分析中，可看出Nosie 的傳播途徑主要是通過變壓器的雜散電容Ctx；
Mosfet/Diode到散熱片的雜散電容Cm/Cd；及散熱片到地的雜散電容Ce等途徑而耦合到LISN被取樣電阻所俘獲。
措施一：在Rs的地端和C2的地間接一個Y電容（４７２）。
原理分析：它的作用是雙重的，一是為Mosfet動作產生且串到變壓器副邊的noise 電流（如I4）,提供一個低阻抗的回路，減小到地的電流。二是為二次側Diode產生的且串到變壓器原邊的noise 電流提供低阻抗回路，從而減小流過LISN的電流。
其效果如下圖：紅色為：未改善之前；藍色為：采取措施之后
措施二：變壓器加法拉第銅環：
變壓器是Noise傳播的主要通道之一，其中初級線圈和次級線圈間雜散電容Ctx是重要因素。而在變壓器內部加法拉第銅環是減小Ctx 的有效的方法之一。
措施三：散熱片接Rs的地端：
目的為了將 散熱片－Ce—地－LISN這一支路 旁路掉，從而減小到地的電流。其效果如下圖：可看出，在低頻時較有效；在高頻時， 效果不明顯，這主要是因為在高頻時，管腳直接對地的電容已有相當的作用。
紅色為：散熱片未接地；藍色為：散熱片接地
當綜合上述所有措施后，EMI總效果對比如圖所示：
紅色為：未采取措施前；藍色為：綜合上述措施后
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