1、普通二極管和電力電子用的二極管在結構上有什么區別？提示：psn結構，s層的作用是什么？可以從雜質摻雜濃度來分析。
2、在現代開關器件中，經常可以看到punch through技術的應用。請介紹一下這種技術的原理和它的優點（相比起沒有使用此技術的器件）。
3、IGBT有“電導調制”的特點，應此igbt在大電流，較低頻率的應用場合較MOSFET更有優勢。何謂電導調制？
4、thyristor和gto結構上大同小異，但后者卻能夠實現主動關斷。請介紹一下生產工藝上的差異。
5、在大電流應用場合，有時需要多管并聯。現在可供選擇的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并聯，哪些不可以？原因是什么？
6、在常用的dcdc converter中，如buck converter 或boost converter，二極管的反相恢復時間對能量損耗的影響很大。為改善損耗，請給出兩種方法。提示：新器件雞拓撲結構。
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答：通常為了增加二極管的耐壓，理論上可以增厚pn結，并且降低雜質濃度，但是缺點是正相導通損耗變大。
通過加一層低雜質的s層，性能得到改觀：正相導通的時候s層完全導通，近似于短路，直接pn連接，所以壓降小；反相接電壓的時候，由于s層的雜質濃度低，電導低，或者說此s層能夠承受的最大電場E較大，所以s層能夠承受較大電壓而不被擊穿。
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答：在開關器件中，用于提高耐壓的s層往往并沒有得到充分的利用，因為s層的一端耐壓為Emax的時候，另外一段為0，也就是說，E在s層并不是均勻分布的，Umax~0.5(Emax+Emin)——注意，器件耐壓只取決于s層中E對于l長度的積分。punch through就是在s層與pn結直接再加一層高雜質摻雜的薄層，使得此層中電場由Emax變化到Emin＝0，而真正的s層中處處場強都接近于Emax。
理論上，通過punch through技術，s層的寬度可以減少50％——在耐壓不變的前提下。實際中由于s層必須有一定的電導，寬度會略大于50％。
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答：電導調制其實很簡單，也就是Uce之間的等效電路模型為一接近理想的二極管。飽和電壓不隨著電流增加而增加，導通損耗為P~I；而mosfet的ds等效電路為一個電阻，損耗為P~I^2。因此在通態損耗占主要因素的場合（如電機驅動），igbt更有優勢。
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答：比較難用文字說清楚，gto是的層與層之間是環形結構，所以結合程度要比普通的晶閘管好，能夠實現關斷（具體請自行參閱相關文獻）。
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答：mosfet可直接用于并聯，igbt不方便。因為mosfet是負溫度系數，各個并聯管之間可以平衡：T上升，Rds上升－》I減小。而igbt是正溫度系數不行，同理，雙極型三極管也不可以簡單并聯。如果要并聯，必須串聯在e極一個小電阻，但這就降低了效率，不太實用。
另外igbt還有latch的問題，詳情參考相關文獻。
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答：方案一，用SiC代替快回復二極管。經過計算得出，不少情況下，雖然SiC二極管比較貴，但從整體而言產品性價比更高，原因：開關損耗小，散熱片小。。。
方案二，用synchronous boost、buck converter代替。上臂的管子也用mosfet。利用mosfet在Ugs接電壓的時候ds雙向導通的特點（純看上去一電阻），減小損耗，尤其在低電壓驅動電路中，此結構可大大減少電路通態損耗。
方案三，讓管子工作在discontinueous的狀態。
方案四，讓管子工作在continueous狀態，但是減小電感，增加電流的ripple，使其最小值低于0——resonant pole，缺點是mosfet通態損耗變大。
以上答案均為個人總結，如有差錯，還請包涵。
感想：此考試的專業并不是半導體制造工藝，而是很general的基礎課程。50％的電子方向學生都必須通過這門考試。我觀察了國內論壇挺久，發現大多討論話題都是比較偏向實際應用的。可是我感覺，如果沒有對于一個系統有著真正本質的了解而只是浮在表面，作出來的系統很難工作在一個optimal的狀況下。譬如選電感的時候，ripple factor多大對于系統最優？電解采用哪種產品，它在“此”電路中的壽命大約多少？mosfet在此電路中的壽命大概是多少？確實，這些是很底層的東西，但是如果我們工程師不去掌握它，設計層面停留在“大約”的階段，產品是很難和國外的相比的。
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