跟著科技的開(kāi)展，印刷變頻電源電路板已成為不可或缺的電子部件，現(xiàn)在印刷變頻電源電路板已改稱為電子基板。傳統(tǒng)無(wú)機(jī)基板以Al2O3、SiC、BeO 和AlN等為基材，這些資料在熱導(dǎo)率、抗彎強(qiáng)度以及熱膨脹系數(shù)方面有杰出的功能，現(xiàn)廣泛應(yīng)用于變頻電源MCM電路基板行業(yè)。這次研討的變頻電源電路基板資料是以微米Al2O3 和CaZrO3 為主要原料，選用硅碳棒電阻爐燒結(jié)制備而成，進(jìn)而探究其相對(duì)密度、介電常數(shù)以及介電損耗功能。
相對(duì)密度剖析
上圖是添加不同量微米Al2O3 和納米CaZrO3粉后對(duì)氧化鋁陶瓷集成變頻電源電路基板資料相對(duì)密度的影響。由圖可知跟著溫度的升高，其基板資料的相對(duì)密度跟著升高，溫度到達(dá)1100 ℃到達(dá)最大值。當(dāng)微米Al2O3 的添加量為60 wt%，納米ZrO2 的添加量為10 wt% 時(shí)，氧化鋁陶瓷集成變頻電源電路基板資料的相對(duì)密度相對(duì)其它配方最大，此刻樣品較細(xì)密，有利于氧化鋁陶瓷集成變頻電源電路基板資料力學(xué)功能的進(jìn)步
介電常數(shù)剖析
上圖是基板資料的介電常數(shù)隨燒結(jié)溫度改變曲線。可看出跟著溫度升高，其介電常數(shù)隨之升高。當(dāng)溫度到達(dá)1100 ℃時(shí)，介電常數(shù)到達(dá)最大值。當(dāng)微米Al2O3 添加量從50 wt% 改變至65 wt%，納米CaZrO3 添加量從20 wt% 改變至5 wt% 時(shí)，氧化鋁集成變頻電源電路基板資料的介電常數(shù)呈先添加后削減的趨勢(shì)。當(dāng)微米Al2O3 含量為60 wt%，納米CaZrO3 含量為10 wt% 的時(shí)分，所制備的樣品功能最佳。這是因?yàn)橛绊懡殡姵?shù)的因素是多方面的，只需觸及配方組成中化學(xué)組成，當(dāng)堿金屬離子氧化物的含量越多，其介電常數(shù)越大。別的，溫度升高過(guò)程中各離子和偶極子的熱運(yùn)動(dòng)會(huì)跟著加強(qiáng)，終究導(dǎo)致介電常數(shù)添加。
介質(zhì)損耗剖析
上圖是基板資料的介質(zhì)損耗隨燒結(jié)溫度改變曲線。可得到跟著溫度的升高，介質(zhì)損耗逐漸下降。當(dāng)微米Al2O3 在50 wt% 至65 wt% 之間改變，納米CaZrO3在20 wt% 至5 wt% 之間改變時(shí)，介質(zhì)損耗先削減后添加，當(dāng)微米Al2O3 添加量為60 wt%，納米CaZrO3 添加量為10 wt%，且當(dāng)燒結(jié)溫度為1100 ℃時(shí)，燒結(jié)后樣品的介質(zhì)損耗值最小。
物質(zhì)的介質(zhì)損耗是由物質(zhì)內(nèi)部電子、離子漏導(dǎo)損耗以及空間電荷極化所引起，因此物質(zhì)的體積電阻率越小，其介質(zhì)損耗越大。樣品中CaZrO3的存在，使得二價(jià)Ca離子以及四價(jià)Zr離子對(duì)其他低價(jià)位的離子發(fā)生壓抑效應(yīng)，使得樣品的介質(zhì)損耗添加，而Na2O 和K2O 的存在，使得K離子和Na離子因?yàn)殡p堿效應(yīng)的效果，使得網(wǎng)絡(luò)結(jié)合嚴(yán)密，從而樣品的介質(zhì)損耗較小。
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